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第三代半導體材料碳化硅(SiC)的時代或將迎來

2020.02.21 20:22 碳化硅概念股

券商研報顯示,雖然學術界和產(chǎn)業(yè)界很早認識到SiC和GaN相對于傳統(tǒng)Si材料的優(yōu)點,但是由于制造設備、制造工藝與成本的劣勢,多年來只是在小范圍內(nèi)得到應用,無法挑戰(zhàn)Si基器件的統(tǒng)治地位,但是隨著5G 、汽車等新市場出現(xiàn),SiC/GaN不可替代的優(yōu)勢使得相關產(chǎn)品的研發(fā)與應用加速。

隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、自動駕駛等新興應用有望擾動半導體競爭格局,半導體投資具有確定的長期投資價值,但是我國是半導體市場自給率較低,這也為我國半導體國產(chǎn)化提供了更多的機會,尤其是在貿(mào)易摩擦背景下,半導體國產(chǎn)替代需求日益堅定,而當下火熱的科創(chuàng)浪潮也將成為半導體行業(yè)投資行情的核心驅動力。

目前碳化硅是發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè)的關鍵基礎材料,碳化硅半導體材料在高溫、高頻、大功率、光電子以及抗輻射器件等方面具有巨大的應用潛力。目前導電型碳化硅襯底片材料主要應用于新能源汽車、充電站、太陽能逆變器等領域;半絕緣型碳化硅襯底片則主要應用于5G通訊基站、大功率相控陣雷達、衛(wèi)星通訊等領域。

得碳化硅者得天下

華創(chuàng)證券認為,“得碳化硅者得天下”。碳化硅是制造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想襯底材料,綜合性能較硅材料可提升上千倍,被譽為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”,是光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動機”。碳化硅材料實現(xiàn)量產(chǎn)后,將打破國外壟斷,推動國內(nèi)5G芯片技術和生產(chǎn)能力的提升。

但從差距上看,我國在碳化硅領域還沒有形成完整的產(chǎn)業(yè),國內(nèi)市場上大部分碳化硅功率器件依賴進口,形成國際大廠壟斷局面。

中泰證券認為,雖然學術界和產(chǎn)業(yè)界很早認識到SiC和GaN相對于傳統(tǒng)Si材料的優(yōu)點,但是由于制造設備、制造工藝與成本的劣勢,多年來只是在小范圍內(nèi)得到應用,無法挑戰(zhàn)Si基器件的統(tǒng)治地位,但是隨著5G 、汽車等新市場出現(xiàn),SiC/GaN不可替代的優(yōu)勢使得相關產(chǎn)品的研發(fā)與應用加速;隨著制備技術的進步, SiC 與 GaN 器件與模塊在成本上已經(jīng)可以納入備選方案內(nèi),需求拉動疊加成本降低,SiC/GaN的時代即將迎來。

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